半磁半导体材料GaMnAs

• 作者: 刘立浩 刘芳芳 杨瑞霞 申华军
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaMnAs 半磁半导体 居里温度 磁畴 磁矩 磁性质
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 35-42
• 页数: 8页
• 分类号: TN303
• 字数: 7243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2002.06.007

摘要

利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息学院	180	759	13.0	18.0
2	刘立浩	河北工业大学信息学院	4	8	2.0	2.0
3	申华军	河北工业大学信息学院	4	21	3.0	4.0
4	刘芳芳	河北工业大学信息学院	3	6	2.0	2.0