Al2O3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法

• 作者: 史庆军 窦宝锋 顾彪
• 来源期刊: 佳木斯大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: ECR-PAMOCVD 衬底清洗方法 双缓冲层
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1402.2002.01.002

摘要

研究了ECR-PAMOCVD在蓝宝石衬底上生长GaN外延层时衬底的清洗方法和缓冲层结构对于GaN晶体质量的影响, 提出了新的衬底清洗方法和双缓冲层结构.实验表明这种方法能够提供一个很好的生长基底,可以有效地改善GaN外延层的晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾彪	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	41	363	12.0	18.0
2	史庆军	佳木斯大学信息电子技术学院	29	96	5.0	8.0
3	窦宝锋	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	2	18	2.0	2.0