提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径

• 作者: 任伟忠 颜廷刚 鲁广斌
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶闸管 di/dt 抑制
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 67-68
• 页数: 2页
• 分类号: TN34
• 字数: 1558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-2552.2002.09.029

摘要

介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理,并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法,及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率,保护晶闸管器件的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜廷刚		3	7	1.0	2.0
2	鲁广斌		2	7	1.0	2.0
3	任伟忠		1	7	1.0	1.0