W-SiO2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析

• 作者: 崔嵩 张经国 杨邦朝 胡永达 蒋明
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 多层共烧 导带浆料 烧结应力
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 311-315
• 页数: 5页
• 分类号: TN45
• 字数: 2960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2002.03.009

摘要

氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中, 共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术. 本研究提出了以W为导电材料,SiO2为添加剂配制的导体浆料, 获得了SiO2的质量分数在0.45%时, 烧结应力减弱到充分小, 使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度.导带方阻达到10 mΩ/□, 基板的翘曲度在50 mm中小于50 μm, 导带焊盘的键合强度大于29.4 MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨邦朝	电子科技大学信息材料工程学院	253	3422	31.0	49.0
2	胡永达	电子科技大学信息材料工程学院	61	1556	20.0	39.0
3	蒋明	电子科技大学信息材料工程学院	25	131	7.0	11.0
4	崔嵩		8	33	3.0	5.0
5	张经国		5	12	1.0	3.0