AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷性能研究

• 作者: 周济 李勃 李龙土 王睿
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 低温共烧陶瓷 氧氟玻璃 玻璃陶瓷
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 专题论坛·无源集成技术
• 页码范围: 15-17
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 2342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.06.005

摘要

制备了AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料,用XRD、SEM和阻抗分析仪等分析其烧结特性、显微结构、介电性能以及与Ag电极浆料共烧等性能.结果表明:该材料可以在900 ℃烧结致密化,烧成后的样品具有低的介电常数(6.2)和介质损耗(<0.002)、较低的热膨胀系数(7.4×10-6/K)、较高的弯曲强度(220 MPa)和热导率[2.4 W/(m·K)],能够与Ag电极浆料共烧,是一种很有应用前景的低温共烧陶瓷基板和无源集成介质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李龙土	清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室	122	1435	22.0	31.0
2	周济	清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室	117	1325	20.0	33.0
3	李勃	清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室	31	117	7.0	10.0
4	王睿	清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室	25	145	7.0	11.0