Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能

• 作者: 刘光明 周延春 张亚明 李美栓
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛碳化硅 渗硅 高温氧化 涂层
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 629-633
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.3
• 字数: 3007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2002.04.002

摘要

采用固体粉末包埋法在Ti3SiC2 陶瓷上渗硅, 研究了渗硅涂层的抗高温氧化性能, 用XRD及SEM/EDS分析了渗硅涂层及其氧化后产物的成分、结构和形貌等. 结果表明: 渗硅层主要由TiSi2和SiC组成, 在空气中氧化时形成了SiO2和TiO2的混合氧化物膜. 渗硅样品在1100℃和1200℃下的恒温氧化速率比Ti3SiC2降低了2～3个数量级, 1100℃下抗循环氧化性能也优于Ti3SiC2. 但由于渗硅层中存在裂纹, 循环过程中当裂纹贯穿整个渗硅层时, 涂层的氧化速度开始增加, 其保护作用逐步退化. 在1100℃下空气中循环氧化时, 经400次循环后涂层已基本失效.