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摘要:
以温度梯度法生长LiGaO2晶体,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2晶体.但在生长过程中由于CO气体的存在,熔体表面形成了LiO-和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2MoO4进入熔体,使样品上下两部分的结晶质量变差.
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文献信息
篇名 GaN衬底材料LiGaO2晶体的温度梯度法生长及分析
来源期刊 光学学报 学科 物理学
关键词 GaN LiGaO2 温度梯度法
年,卷(期) 2002,(6) 所属期刊栏目 光学材料
研究方向 页码范围 761-764
页数 4页 分类号 O782
字数 2128字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-2239.2002.06.029
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 干福熹 中国科学院上海光学精密机械研究所 288 2527 23.0 29.0
2 徐军 中国科学院上海光学精密机械研究所 290 2418 22.0 34.0
3 邓佩珍 中国科学院上海光学精密机械研究所 88 747 14.0 22.0
4 杨卫桥 中国科学院上海光学精密机械研究所 19 138 6.0 11.0
5 蒋成勇 中国科学院上海光学精密机械研究所 9 47 4.0 6.0
6 周永宗 中国科学院上海光学精密机械研究所 6 74 4.0 6.0
7 李抒智 中国科学院上海光学精密机械研究所 16 113 6.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaN
LiGaO2
温度梯度法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学学报
半月刊
0253-2239
31-1252/O4
大16开
上海市嘉定区清河路390号(上海800-211信箱)
4-293
1981
chi
出版文献量(篇)
11761
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35
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