氮化硅陶瓷的残余应力和抗弯强度特性

• 作者: 李华平 杜大明 杨海涛 赵世坤 高玲
• 来源期刊: 硬质合金
• 学科: 工学
• 关键词: XRD 残余应力 磨削 陶瓷
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 1862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7292.2003.03.008

摘要

利用X射线衍射方法测量了经不同磨削的氮化硅陶瓷表面残余应力及其对抗弯强度的影响.结果表明,磨削工艺所引入的残余应力是拉应力,显著降低陶瓷抗弯强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玲	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	25	205	9.0	13.0
2	杨海涛	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	35	361	11.0	18.0
3	杜大明	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	10	52	4.0	6.0
4	赵世坤	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	10	52	4.0	6.0
5	李华平	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	10	52	4.0	6.0