Zr0.8Sn0.2TiO4微波介质陶瓷材料的掺杂改性

• 作者: 刘嵩松 陈玉华
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Zr0.8 Sn0.2 TiO4 微波介质陶瓷材料 介电常数 品质因数 掺杂改性 掺杂量 烧结温度
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 447-450
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3170字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.06.022

摘要

以Zr0.8 Sn0.2 TiO4作为主配方,以ZnO,La2 O3,Fe2 O3和NiO作为改性剂,采用传统陶瓷制备工艺,对其进行了掺杂改性的初步探索.在优选的配方和工艺条件下,得到Zr0 8Sn0.2TiO4添加0.5 wt%ZnO(即质量分数为0.5%的ZnO)的相对介电常数εr≈33.231,品质因数Q≈5 528(7 GHz);添加0.5wt%ZnO,0.5wt%Fe2 O3和0.2wt%NiO,其εr≈33.73,Q≈5 254(7 GHz);添加1wt%ZnO和0.5wt%La2O3,材料的εr≈37.996,Q≈4 723(7 GHz).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈玉华		1	6	1.0	1.0
2	刘嵩松		1	6	1.0	1.0