掺杂CuO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷介电性能的影响

• 作者: 丁士华 宋天秀 张倩 曾卓玮 钟祥清
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 介电常数 Cu3TiO4 SEM
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 先进材料及能源
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2015.02.009

摘要

采用固相反应法制备陶瓷样品,研究掺杂CuO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的微观结构和介电性能的影响.结果表明:掺杂降低了(Zr0.8Sn0.2) TiO4陶瓷的烧结温度,样品能够在1 300℃下烧结成瓷,陶瓷密度和介电常数随着CuO的增加而增加,介电损耗随着掺杂量的增加而减少.XRD结果显示:样品的主晶相均为(Zr0.8Sn0.2) TiO4相,ZnO和CuO的质量分数均为1％,烧结温度1 350℃时,介电常数为40.5,损耗为0.0004(1 MHz),介电性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士华	西华大学材料科学与工程学院	111	243	8.0	10.0
2	宋天秀	西华大学材料科学与工程学院	88	200	7.0	10.0
3	张倩	西华大学材料科学与工程学院	10	16	2.0	3.0
4	曾卓玮	西华大学材料科学与工程学院	7	11	2.0	3.0
5	钟祥清	西华大学材料科学与工程学院	6	11	2.0	3.0