掺杂CuO对（Zr0．8 Sn0．2）TiO4陶瓷介电性能的影响

• 作者: 丁士华 宋天秀 张倩 曾卓玮 钟祥清
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 关键词: 介电常数 Cu3 TiO4 SEM
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 字数: 2519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2015.01.0

摘要

采用固相反应法制备陶瓷样品,研究掺杂CuO对( Zr0．8 Sn0．2) TiO4的微观结构和介电性能的影响。结果表明：掺杂降低了( Zr0．8 Sn0．2) TiO4陶瓷的烧结温度,样品能够在1300℃下烧结成瓷,陶瓷密度和介电常数随着CuO的增加而增加,介电损耗随着掺杂量的增加而减少。 XRD结果显示：样品的主晶相均为( Zr0．8 Sn0．2) TiO4相。ZnO和CuO的质量分数均为1%、烧结温度1350℃时,介电常数为40．5,损耗为0．0004(1MHz),介电性能最佳。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士华	西华大学材料科学与工程学院	111	243	8.0	10.0
2	宋天秀	西华大学材料科学与工程学院	88	200	7.0	10.0
3	张倩	西华大学材料科学与工程学院	10	16	2.0	3.0
4	曾卓玮	西华大学材料科学与工程学院	7	11	2.0	3.0
5	钟祥清	西华大学材料科学与工程学院	6	11	2.0	3.0