利用Monte Carlo算法对薄膜生长过程的计算机模拟

• 作者: 刘军 午锁平 岳进 张佩峰 贺德衍 郑小平
• 来源期刊: 兰州大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Monte Carlo方法 计算机模拟 薄膜生长 粗糙度 相对密度
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: O411.3
• 字数: 3796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0455-2059.2003.06.008

摘要

用Monte Carlo方法以Cu为例对薄膜生长过程进行计算机模拟.不仅对原子的吸附、迁移及脱附3种过程采用更为合理的模型,还考虑这些过程发生时对近邻原子的连带效应.在合理选择原子间相互作用势计算方法的基础上,改进了原子迁移激活能的计算方法.计算了表征薄膜生长表面形貌的表面粗糙度和表征薄膜内部晶格完整性的相对密度.结果表明,在一定的原子入射率下,表面粗糙度和相对密度的变化存在一个临界温度.随着衬底温度的升高,表面粗糙度减小,膜的相对密度增大.当达到临界温度时,粗糙度随衬底温度的升高开始增大,而相对密度趋于饱和.临界温度随原子入射率的增大而增大,不同温度下原子入射率对粗糙度的影响不同,在较低温度时粗糙度随入射率的增加而增加,在较高温度时粗糙度随入射率增大而减小.同时发现,随入射率的增大或薄膜厚度的增加,相对密度均逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0
2	张佩峰	兰州大学物理科学与技术学院	11	111	5.0	10.0
3	刘军	兰州大学物理科学与技术学院	6	67	4.0	6.0
4	郑小平	兰州大学物理科学与技术学院	5	54	4.0	5.0
5	岳进		2	12	2.0	2.0
6	午锁平		1	10	1.0	1.0