非均匀基底薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

• 作者: 井西利 宋超群 段玉华
• 来源期刊: 高师理科学刊
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜生长 缺陷 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: O411.3
• 字数: 2162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9831.2009.01.020

摘要

利用Monte Carlo方法对薄膜生长过程进行了计算机模拟,研究了在有缺陷的基底下,沉积粒子的能量和入射率对薄膜生长的影响.通过模拟发现,随着沉积粒子的能量提高或入射率的降低,沉积在基底上的粒子逐步由各自独立的离散型分布向聚集状态转变形成岛核.分析表明,这些变化是由于能量粒子的介入使得表面粒子的扩散能力增强,而入射率越小,每一步中对应粒子的扩散时间就越长,所以大量粒子能够充分扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋超群	燕山大学理学院	2	6	2.0	2.0
5	井西利	燕山大学理学院	26	202	8.0	13.0
6	段玉华	燕山大学理学院	2	6	2.0	2.0