六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

• 作者: 吴炜 李春梅 江雪 苏宇 谭天亚 陈俊杰
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Monte Carlo模拟 薄膜生长 薄膜覆盖度 沉积速率
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 188-192
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2009.01.031

摘要

利用Monte Carlo(MC)方法,模拟研究了六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与薄膜覆盖度以及入射粒子沉积速率之间的关系. 结果表明在基底温度为300K时,岛的形貌主要表现为分形生长,随着薄膜覆盖度的增加,岛的分形枝簇变大,岛的数目不断减少. 在同样的温度下,随着入射粒子沉积速率的增大,薄膜表面的形貌逐步由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡. 进一步研究得出,薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率对粒子扩散能力的影响最终导致岛的形貌发生了改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭天亚	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	11	38	4.0	5.0
2	李春梅	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	6	18	3.0	3.0
3	苏宇	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	4	10	2.0	3.0
4	陈俊杰	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	5	21	2.0	4.0
5	江雪	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	2	13	2.0	2.0