不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

• 作者: 吴炜 张静 李春梅 苏宇 谭天亚 郭永新
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Monte Carlo模拟 薄膜生长 晶格 基底温度 入射粒子剩余能量
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 343-348
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2009.02.026

摘要

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明显影响.当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0时,四方晶格基底上薄膜的生长已经呈现明显的凝聚生长,随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加,岛的数目变少、岛的平均尺寸变大.对于六方晶格基底,当入射粒子剩余能量为0、温度从300 K升高到350 K时,岛的形貌从分散生长向分形生长转变;当基底温度为300 K、入射粒子剩余射能量从0上升到0.05 eV时,岛由分散生长向分形生长转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴炜	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	20	67	5.0	7.0
2	谭天亚	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	11	38	4.0	5.0
3	张静	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	18	136	5.0	11.0
4	李春梅	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	6	18	3.0	3.0
5	苏宇	辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室	4	10	2.0	3.0