a-Si太阳电池p层微晶结构的研究

• 作者: 张存善 张延生 张德贤 郝国强
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积法 微晶氢化硅 转化效率 太阳电池
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 459-461
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2239字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2003.05.012

摘要

用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n(H2)/n(SiH4)=100,n(H2)/n(SiH4)=10]作为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出掺硼的非晶氢化硅薄膜.通过拉曼光谱、激活能测试、暗电导测试表明,高氢气稀释浓度的硅烷在一定的掺杂比时[n(B2H6)/n(SiH4)=1%],沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构,暗电导率可达10-1Ω-1·cm-1,激活能可达0.2 eV左右,接着又用μC-Si:H与传统所用的a-SiC:H分别做电池的p层,比较了二者的I-V特征,发现μC-Si:H作为电池的p层有更大的优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张存善		34	249	7.0	14.0
2	张德贤		22	77	5.0	8.0
3	郝国强		2	29	2.0	2.0
4	张延生		2	25	2.0	2.0