根据红外透过率推断CdZnTe晶片的性能

• 作者: 介万奇 华慧 李国强
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 红外透过率,吸收机理,位错密度,电阻率 CdZnTe
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 469-472
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2003.06.016

摘要

采用傅里叶变换红外光谱仪测试了性能各异的多个CdZnTe晶片的红外透过率.研究表明,红外透过率的大小可以定性反映CdZnTe晶片的性能:红外透过率越高的晶片,其成分偏离越小,位错密度越低,电阻率越高.根据红外透过率大小随着波数的变化,红外透过率图谱可以分为4种,每一种图谱对应着具有不同性能的CdZnTe晶片.从晶片对红外光的吸收机理出发,对实验结果进行了初步分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	李国强	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	9	42	4.0	6.0
3	华慧	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	3	21	3.0	3.0