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摘要:
利用Raman光谱技术研究了CdZnTe晶片表面处理方法、激光功率及波长变化对CdZnTe晶片的Raman谱线影响.研究表明:CdZnTe晶片分别经过机械抛光、Br-MeOH溶液处理以及Br-MeOH溶液+ KOH/甲醇溶液处理后,由于表面晶格完整性的改变, Raman光谱出现了明显变化.采用514.5 nm、632.8 nm及785 nm激光激发CdZnTe晶片时,晶片的Raman波谱也有所不同,其中用785 nm激光激发样品,荧光发光峰位于100~200 cm~(-1)范围,掩盖了晶片Raman特征峰.在对CdZnTe晶片做Raman测试时,尽可能选择较低功率.
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文献信息
篇名 CdZnTe晶片的Raman光谱研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 CdZnTe Raman光谱 表面处理 激光功率
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 221-225,231
页数 6页 分类号 TN304.2+6
字数 2238字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周海 北京石油化工学院材料科学与工程系 79 487 12.0 17.0
2 王涛 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 100 658 13.0 21.0
3 杨英歌 北京石油化工学院材料科学与工程系 33 160 6.0 10.0
4 曾冬梅 北京石油化工学院材料科学与工程系 21 50 4.0 6.0
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CdZnTe
Raman光谱
表面处理
激光功率
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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