固溶处理对添加Si的Cu—10Ni—8Sn合金胞状沉淀的影响

• 作者: MasamichiMiki YoshikiyoOgino 王艳辉
• 来源期刊: 国外金属加工
• 学科: 工学
• 关键词: Cu-10Ni-8Sn合金 胞状沉淀 固溶处理 晶界迁移 铜合金 硅
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TG166.2

摘要

利用定量金相的方法，研究了固溶--退火条件(温度和时间)对添加0．2％Si的Cu-10Ni-8Sn合金450℃时效时晶界处胞状物的形核与长大的影响。在450℃时效过程中。基体的硬度几乎不受固溶--退火条件的影响。然而，时效过程中固溶--退火条件对胞状物的形核与长大的影响却非常显著。当固溶--退火温度或时问增加时，Si对于胞状沉淀的抑制作用下降。随固溶--退火温度或者时问的增加，淬火态样品中存在于基体晶粒和晶界上的Ni31Si12相颗粒被粗化。因此。可以认为，经较高温度或较长时间固溶--退火的样品时效时，Ni31Si12相颗粒占据胞状物在晶界上的形核位置并抑制胞状物前沿界面迁移的作用降低了。