微波半导体功率器件及其应用(第三部分)

• 作者: 盛柏桢 程文芳
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 地球科学
• 关键词: 微波 高电子迁移率晶体管(HEMT) 异质结双极晶体管(HBT) 单片集成电路
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 28-31,39
• 页数: 5页
• 分类号: NT385
• 字数: 5566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2003.03.007

摘要

本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛柏桢		18	43	3.0	6.0
2	程文芳		18	43	3.0	6.0