硅外延片中的杂质控制

• 作者: 朱丽娜 闵靖
• 来源期刊: 上海有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: 外扩散 自掺杂 滞留层 S坑缺陷 增强吸杂外延
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 32-38
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 5956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-2046.2003.01.008

摘要

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布.主掺杂质控制外延层的杂质浓度,决定外延层的电阻率.固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布.该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法.金属杂质在外延层中对器件有害,防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽娜		6	44	3.0	6.0
2	闵靖		8	39	3.0	6.0