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摘要:
综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效.分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同.为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并对处于低剂量率下系统的加固保证也提出了一些看法.
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文献信息
篇名 系统低剂量率失效和加速模拟试验方法
来源期刊 核技术 学科 物理学
关键词 低剂量率 失效 辐射损伤 模拟试验
年,卷(期) 2003,(2) 所属期刊栏目 低能加速器技术、射线技术及应用
研究方向 页码范围 132-136
页数 5页 分类号 O434.1
字数 0字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-3219.2003.02.010
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1 陈盘训 中国工程物理研究院电子工程研究所 5 34 3.0 5.0
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低剂量率
失效
辐射损伤
模拟试验
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核技术
月刊
0253-3219
31-1342/TL
大16开
上海市800-204信箱
4-243
1978
chi
出版文献量(篇)
4560
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14
总被引数(次)
18959
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