浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估

• 作者: 何宝平 李永宏 王桂珍 罗尹虹 郭红霞 龚建成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低剂量率 辐射损伤 失效时间 总剂量
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3125-3129
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.056

摘要

利用60Coγ射线开展了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了集成电路功耗电流和出错数在不同剂量率下的辐射响应;按照定义的失效标准和外推实验技术,探索了集成电路参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系;根据失效时间与辐射剂量率的函数关系,预估了浮栅ROM集成电路AT29C256(9911)和AT29C256(9939)空间低剂量率辐射失效时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	龚建成		27	110	6.0	8.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	李永宏		6	86	4.0	6.0
6	王桂珍		32	156	7.0	9.0