N含量对CN薄膜折射率的影响

• 作者: 乔学亮 孙增辉 熊锋 王洪水 程宇航 邓德圣 陈建国
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化碳薄膜 折射率 结构 射频溅射沉积
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 465-469
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2003.05.009

摘要

采用射频磁控溅射法沉积了CN薄膜, 利用XPS, XRD, FTIR等测试手段研究了CN薄膜的成分和结构.结果表明: CN薄膜为非晶结构; CN薄膜中n(N)/n(C) 随沉积室中N2浓度的增加而增大, n(N)/n(C)最高可达到0.33; CN薄膜中主要含有CC, C-C, C-N, CN, C≡N等原子基团; N在CN薄膜中主要起稳定sp2 C的作用.利用椭圆偏振仪测量了CN薄膜的折射率和厚度.对薄膜的折射率与N含量之间关系的研究发现: CN薄膜的折射率随n(N)/n(C)的增加而减小; CN薄膜的折射率由2.2减小到1.8.