半导体锗纳米团簇和纳米层的生成与结构研究

• 作者: 刘世荣 祖恩东 祝亚 黄伟其
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米团簇 纳米层 硅锗合金
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 358-363
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.020

摘要

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL发光谱.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖恩东		73	319	10.0	16.0
2	黄伟其	贵州教育学院物理系	23	43	4.0	5.0
3	刘世荣	中国科学院地质化学研究所电镜室	38	338	10.0	17.0