化学水浴法制备CuxS薄膜

• 作者: 严密 张辉 杨德仁 汤会香 王志浩
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学水浴法 CuxS薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 70-72
• 页数: 3页
• 分类号: TK519
• 字数: 1816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2003.z1.019

摘要

CuInS2薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料.为了用化学水浴法制备CuIn岛薄膜,该文研究了化学水浴法制备CuxS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分,并且对薄膜的光学性质进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	84	923	18.0	26.0
2	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
3	严密	浙江大学硅材料国家重点实验室	91	637	12.0	20.0
4	汤会香	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	120	6.0	7.0
5	王志浩	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0