NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展

• 作者: 孙玉明 徐彭寿 徐法强 施朝淑 潘海斌 谢长坤 邓锐
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 宽带隙半导体 能带结构 角分辨光电子能谱 缺陷 表面结构
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 409-412
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5|O472+.1
• 字数: 314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2003.06.001

摘要

综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展.首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散.首次通过全势缀加平面波(FPLAPW)方法,对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算.我们的计算结果显示出顶层Si-C键长收缩且发生扭转的驰豫特性,而表面弛豫实现了从金属性到半导体性质的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科技大学国家同步辐射实验室	4	111	2.0	4.0
2	潘海斌	中国科技大学国家同步辐射实验室	5	125	2.0	5.0
3	徐法强	中国科技大学国家同步辐射实验室	4	115	2.0	4.0
4	施朝淑	中国科技大学国家同步辐射实验室	7	227	3.0	7.0
5	谢长坤	中国科技大学国家同步辐射实验室	1	2	1.0	1.0
6	孙玉明	中国科技大学国家同步辐射实验室	2	109	2.0	2.0
7	邓锐	中国科技大学国家同步辐射实验室	1	2	1.0	1.0