Kuramoto-Sivashinsky与Karda-Parisi-Zhang模型中生长界面分形特性研究

• 作者: 范正修 邵建达 黄立华 齐红基
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Kuramoto-Sivashinsky (K-S)模型 Karda-Parisi-Zhang(KPZ)模型 分形 数值模拟
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 2743-2749
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.11.017

摘要

在(2+1)维情况下,利用数值模拟研究了Kuramoto-Sivashinsky (K-S)与Karda-Parisi-Zhang (KPZ)模型所决定的非平衡态界面生长演化过程.结果表明,KPZ与K-S模型都表现出明显的时间和空间标度特性.相对于KPZ模型而言,K-S模型所对应的表面具有更明显的颗粒特征,当生长时间较长时,生长界面呈现蜂窝状结构.通过数值相关分析得到了生长界面的粗糙度指数、生长指数和动态标度指数等参数.从两种模型对应的表面形貌特征和表面参数来看,在(2+1)维情况下,KPZ与K-S模型所决定的表面具有完全不同的动态标度行为,属于不同的两类物理模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
3	黄立华	中国科学院上海光学精密机械研究所	27	348	11.0	18.0
4	齐红基	中国科学院上海光学精密机械研究所	40	299	11.0	16.0