半导体器件钝化层Si3N4薄膜的制备及特性研究

• 作者: 刘宝峰 李洪峰 金立国
• 来源期刊: 哈尔滨理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiN4薄膜 界面态 表面电荷
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 105-108
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.24
• 字数: 3078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2683.2003.06.033

摘要

采用热分解法在硅衬底上制备了si3N4薄膜.根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系.分别利用AFM对薄膜表面进行观测,C-V法对薄膜和硅片界面态进行了测试.结果表明:所制备的Si3N4薄膜在硅片上以无定形方式存在,在Si3N4薄膜和硅界面之间存在着大量的表面电荷,由于这种高密度表面电荷的存在,导致Si3N4薄膜不适于直接作为半导体器件的表面钝化层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金立国	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	32	170	7.0	12.0
2	刘宝峰	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	2	25	2.0	2.0
3	李洪峰	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	2	40	2.0	2.0