自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响

• 作者: 张国庆 张猛 李永贵 林理彬 邹睿
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 电学性质 自由电子激光 异质结构材料 二维电子气 辐照效应
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 593-596
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.6|TN241
• 字数: 3044字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2003.07.005

摘要

自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率.对比这两种情况下的结果可以发现:1) 迁移率随温度升高而降低,光照使迁移率增大;2) 电子浓度随温度变化关系相对较为复杂,但是平均而言,光照会使电子浓度减小;3) 电阻率随温度升高而升高,光照使电阻率减小,但这种影响不明显.对这些现象给出了具体的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林理彬	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	90	605	13.0	20.0
2	邹睿	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	8	23	3.0	4.0
3	张猛	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	8	4	1.0	2.0
4	张国庆	中国科学院高能物理所自由电子激光研究室	30	176	9.0	12.0
5	李永贵	中国科学院高能物理所自由电子激光研究室	18	41	3.0	5.0