适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质

• 作者: 刘宗顺 刘素萍 李正庭 杜国同 杨树人 殷宗友 殷景志 王新强
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 物理光学 InGaAsP 张应变阱 压应变阱 偏振不灵敏 增益介质
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 光通信及其元器件
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: O436.3
• 字数: 1756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2003.01.014

摘要

研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角的扇形.实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性,实现了偏振灵敏度小于0.5 dB,100 mA偏置时可达0.1 dB.在较大的电流范围内,峰的半高全宽(FWHM)为40 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷景志	吉林大学电子工程系	15	62	4.0	7.0
2	杜国同	吉林大学电子工程系	41	204	8.0	13.0
3	刘素萍	中国科学院半导体所	6	188	5.0	6.0
4	杨树人	吉林大学电子工程系	16	52	4.0	7.0
5	刘宗顺	中国科学院半导体所	8	28	3.0	5.0
6	王新强	吉林大学电子工程系	8	41	2.0	6.0
7	殷宗友	吉林大学电子工程系	2	4	1.0	2.0
8	李正庭	吉林大学电子工程系	3	4	1.0	2.0