电化学沉积Cu-In-Se薄膜

• 作者: 夏晓丽 孙国忠 敖建平
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积 CuInSe2 诱导共沉积
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 所属期刊栏目: 能源与环境材料国际研讨会专栏
• 页码范围: 45-46
• 页数: 2页
• 分类号: TK513
• 字数: 396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2003.z1.013

摘要

采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu-In-Se薄膜,对电沉积的工艺参数进行了测试,发现Cu-In-Se是一种诱导共沉积,虽然沉积膜不具备化学计量比,但具有一定的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	敖建平	南昌航空工业学院材料系	17	82	5.0	9.0
2	孙国忠	南昌航空工业学院材料系	10	73	4.0	8.0
3	夏晓丽	南昌航空工业学院材料系	2	17	2.0	2.0