基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
0.8~6GHz同轴阻抗调谐器设计
负载牵引
调谐器
反射系数
驻波比
5GHz高线性度CMOS混频器的设计
混频器
线性度
CMOS
2GHz~6GHz功率驱动模块研究
功率驱动模块
均衡网络
微波功率模块
一种高线性度2.4GHz CMOS LC压控振荡器
LC压控振荡器
CMOS射频集成电路
调节线性度
相噪声
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 6GHz高线性度PHEMT FET
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 安捷伦科技公司 E—pHEMT场效应管 增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 ATF50lPB
年,卷(期) 2003,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 63
页数 1页 分类号 TN386.6
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2003(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
安捷伦科技公司
E—pHEMT场效应管
增强模式伪形态高电子迁移率晶体管
ATF50lPB
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
论文1v1指导