一种GaAs FET/pHEMT器件噪声参数测量的新方法

• 作者: 刘章文 古天祥 蒋毅
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 噪声测量 FET 本征H参数 级联噪声矩阵
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 352-355
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 2205字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2006.02.030

摘要

本文提出一种FET/pHEMT器件噪声参数提取的新方法.该方法利用50Ω输入阻抗噪声系数F50的测量,通过本征H参数和本征级联噪声矩阵CAINT,确定出关于门噪声温度Tg和漏噪声温度Td的线性方程.后对所有频点的线性方程Tg-Td作统计分析,即可确定Tg和Td.再由噪声网络合成原理求得总的级联噪声相关矩阵CA,相应的噪声参数(Fmin,Rn和Γopt)也求出来了.三个FET/pHEMT器件的测量结果显示出,实测参数与Garcia和Lázaro的方法吻合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	古天祥	电子科技大学自动化工程学院	119	867	15.0	23.0
2	刘章文	电子科技大学自动化工程学院	7	63	5.0	7.0
6	蒋毅	电子科技大学自动化工程学院	14	103	5.0	9.0