稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究

• 作者: 姜宁 张志敏 彭爱华 李鹏 谢二庆 贺德衍
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 稀土掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1792-1796
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.044

摘要

用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土(Tb,Gd)离子的化学掺杂.利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性.用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌.用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况.结果表明,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度,并且发光峰位出现蓝移.这是由于Tb3+的4f能级5D4-7F3,5D4-7F2和5D4-7F0的跃迁发光引起的.而在掺入Gd情况下,则观察到蓝光发射.初步分析了稀土掺杂多孔硅的发光机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭爱华	兰州大学物理科学与技术学院	3	51	3.0	3.0
2	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
3	姜宁	兰州大学物理科学与技术学院	5	21	2.0	4.0
4	张志敏	兰州大学物理科学与技术学院	2	25	2.0	2.0
5	李鹏	兰州大学物理科学与技术学院	22	138	6.0	11.0
6	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0