二次电子显微镜的自动缺陷分类(SEM ADC)新应用-新产品设计转移

• 作者: 叶茂森 周进顺 林廷树 林龙辉 纽瑞芮可 费尔达顿 郭峰铭
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类 良率提升 缺陷原因分析
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 23-28
• 页数: 6页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.11.007

摘要

随着集成电路工业的快速成长,需在短时间内,引进愈小组件设计且导入量产的时间,愈来愈短.为了新产品能尽早导入量产,产品的缺陷的再检查(review)与分类是必要的,以期提供快速缺陷原因分析,改善良率与生产.在传统的做法中,建立新产品的二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类(SEM ADR/ADC)最佳化程序,需时至少1个月,以收集足够的二次电子影像数据库,但是,这已经无法符合集成电路工业产品快速转换的需求,提出一种省时间的(模块程序概念).这概念使不同产品的相似组成/结构层(layer),不需要额外的二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类(SEM ADR/ADC)程序建立时间,利用此方法,台湾力晶半导体φ300 mm晶圆厂利用0.15μm的缺陷数据库,成功地在2小时内建立新的0.13 μm产品线上二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类(SEM ADR/ADC)程序,加速缺陷原因分析与良率提升.