沉积条件对MOS2/Ti复合膜性能的影响

• 作者: 戚琦 李永良
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: MoS2/Ti复合膜 直流磁控溅射 偏压 性能
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 779-782
• 页数: 4页
• 分类号: O652.1
• 字数: 1957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2004.06.013

摘要

MoS2/Ti复合膜由直流磁控溅射方法制备,膜中Ti的原子分数x(Ti)和硬度Hv随着Ti靶溅射电流I(Ti)的增加而增加.FE-SEM(场发射扫描电子显微镜)对膜表面形貌观察发现,MoS2/Ti复合膜是由尺寸为几十到几百nm的颗粒组成,膜的致密性和膜中x(Ti)有关,x(Ti)越高,膜的致密性越好,从而膜的Hv也就越高.偏压Ub是影响膜性能的重要因素,随着Ub的增加,膜的Hv也增加,当Ub=-100 V时,膜的Hv达到峰值;进一步增加Ub,膜的Hv则下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李永良	北京师范大学分析测试中心	58	807	15.0	26.0
2	戚琦	北京师范大学分析测试中心	19	121	7.0	10.0