850 nm氧化限制型VCSEL研究

• 作者: 岳爱文 沈坤 王任凡 石兢
• 来源期刊: 光通信研究
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 砷化镓 分布布拉格反射器
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 36-38,58
• 页数: 4页
• 分类号: TN242
• 字数: 2032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-8788.2004.02.011

摘要

通过对850 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850 nm氧化限制型VCSEL.激光器12 μm和16 μm氧化孔径25 ℃的阈值电流分别为1.2 mA和1.8 mA,斜效率为0.58 mW/mA,微分串联电阻为35 Ω和25 Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25 Gbit/s数据通信.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石兢	武汉大学物理系	24	113	6.0	10.0
2	王任凡		13	34	3.0	5.0
3	岳爱文		3	18	2.0	3.0
7	沈坤		4	39	2.0	4.0