一种增强量子阱混合的新技术

• 作者: 张淑云 杨格丹 王永晨 赵杰 车经国
• 来源期刊: 光子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱混合(QWI) 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 带隙蓝移 光子集成(PIC's)
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 132-134,155
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 2174字
• 语种: 中文

摘要

采用PECVD技术在1.55μn InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5～74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物理与电子信息学院	40	171	8.0	11.0
2	王永晨	天津师范大学物理与电子信息学院	16	24	3.0	4.0
3	杨格丹	天津师范大学物理与电子信息学院	4	4	1.0	1.0
4	车经国		2	3	1.0	1.0
5	张淑云		3	7	2.0	2.0