SiO2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合

• 作者: 刘雪峰 黄德修 黄晓东
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超晶格材料 无杂质空位扩散 InGaAsP 量子阱混合
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1107-1110
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.11.013

摘要

对晶格与InP匹配的InGaAsP超晶格结构外延片,运用等离子增强化学气相沉积法镀SiO2膜,随后用碘钨灯快速热退火,进行无杂质空位扩散(IFVD)技术的实验研究,测量光致发光谱后得到了最大50nm的峰值位置蓝移;表明在没有掺杂和没有应变的情况下,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力.对影响IFVD工艺的重复性因素进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄德修	华中理工大学光电子工程系	42	300	10.0	15.0
2	黄晓东	华中理工大学光电子工程系	4	12	2.0	3.0
3	刘雪峰	华中理工大学光电子工程系	4	12	2.0	3.0