直流电沉积CdS纳米线的研究

• 作者: 姚素薇 张卫国 赵培忠 韩玉鑫
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 化学
• 关键词: 直流电沉积 CdS纳米线 AAO模板
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 243-246
• 页数: 4页
• 分类号: O646.54
• 字数: 1737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2004.04.001

摘要

在磷酸溶液中,采用二次铝阳极氧化法得到了多孔铝阳极氧化膜(AAO).以AAO为模板,选用直流电沉积方法在孔内组装CdS半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均一、直径约为100nm、长度约为1.5 μm的纳米线,与AAO模板的孔径一致.该方法在制备过程中,无需对AAO模板进行去除阻挡层、喷金或预镀金属等处理过程,而是直接在纳米孔内电沉积CdS,形成CdS半导体纳米线阵列.该方法工艺简单,操作方便,容易获得半导体CdS的一维纳米材料.TEM和XRD测试结果表明,CdS纳米线为六方晶型结构.对CdS纳米线的生长机理还进行了初步的分析和探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张卫国	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	137	1608	22.0	33.0
2	姚素薇	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	159	2047	26.0	36.0
3	韩玉鑫	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	4	30	3.0	4.0
4	赵培忠	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	2	24	2.0	2.0