分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用

• 作者: 李艳秋 黄国胜
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 浸没式ArF光刻 下一代光刻 像差和图形偏移 工艺窗口 光刻仿真
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 9-13,22
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.11.004

摘要

首次利用自主研发的光刻辅助设计软件MicroCruiser结合Prolith8.0.2,研究了分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用,研究表明,相移掩模结合传统照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较大.而传统掩模结合离轴照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较小.因而,通过对单个像差的控制和进行的不同Zernike系数组合,可以大大减少曝光图形的偏移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳秋	中国科学院电工研究所	35	388	12.0	18.0
2	黄国胜	中国科学院电工研究所	6	31	4.0	5.0