LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺

• 作者: 冯勇健 冯海玉 黄元庆
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 低压化学气相淀积 温度
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 数学与技术
• 页码范围: 362-364
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2004.z1.078

摘要

氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯勇健	厦门大学萨本栋微机电研究中心	1	16	1.0	1.0