纳米碳化硅半导体材料光致发光特性的研究进展

• 作者: 孙运涛
• 来源期刊: 嘉应学院学报(自然科学)
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米碳化硅 光致发光 发光机制
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 26-28,45
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-642X.2004.06.007

摘要

概述了纳米碳化硅半导体材料,如采用各种成膜技术在硅衬底上制备的纳米碳化硅(nc-SiC:H)膜,镶嵌在各种介质如(α-SiC:H、SiO2或ZSM-5中的纳米晶碳化硅的光致发光特性及其最近研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙运涛	嘉应学院物理系	4	22	3.0	4.0