具有分形结构的SiC/SiO2界面的粗糙散射

• 作者: 徐军 胡林辉 董晓波 谢家纯 陈文建
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 地球科学
• 关键词: 分形 SiC 界面粗糙散射 MOSFET
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 311-315
• 页数: 5页
• 分类号: N04
• 字数: 4147字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2004.04.005

摘要

用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度△,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础上,能计算出SiC/SiO2界面对沟道电子的粗糙散射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	中国科学技术大学物理系	290	2418	22.0	34.0
2	谢家纯	中国科学技术大学物理系	16	181	8.0	13.0
3	董晓波	中国科学技术大学物理系	3	15	1.0	3.0
4	陈文建	中国科学技术大学物理系	4	32	2.0	4.0
5	胡林辉	中国科学技术大学物理系	3	25	2.0	3.0