Al/Cu微米级厚度薄膜扩散连接工艺及显微组织分析

• 作者: 叶成钢 吴卫东 杜凯 袁光辉 谢军 郑凤成 黄丽珍
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 惯性约束聚变 扩散连接 铝 铜 薄膜 工艺
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 页码范围: 120-124
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2004.z1.031

摘要

采用真空扩散连接工艺法,对Al与Cu薄膜扩散连接接头的组织性能进行实验研究,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪等测试方法对连接接头过渡区及基体组织和性能进行了分析.实验结果表明:采用真空扩散连接工艺,加热温度为250℃、保温时间为30 min、压力为5 MPa时,Al/Cu薄膜界面处形成明显的过渡区,扩散界面控制在150 nm以内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴卫东	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	140	1087	18.0	26.0
2	杜凯	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	72	527	11.0	19.0
3	谢军	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	22	164	8.0	12.0
4	郑凤成	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	15	75	4.0	8.0
5	叶成钢	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	9	102	5.0	9.0
6	黄丽珍	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	56	3.0	3.0