碲镉汞p+-on-n长波异质结探测器的研究

• 作者: 何力 叶振华 吴俊 巫艳 李言谨 王建新 胡晓宁
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe p+-on-n 异质结 R0A
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 423-426
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 3507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2004.06.006

摘要

报道了HgCdTe p+-on-n长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+-on-n异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTe p+-on-n长波异质结焦平面器件.根据I-V实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宁	中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心	31	241	9.0	14.0
2	李言谨	中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心	24	187	8.0	13.0
3	何力	中国科学院上海技术物理研究所	54	417	13.0	17.0
4	叶振华	中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心	29	259	9.0	14.0
5	吴俊	中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心	17	186	8.0	13.0
6	王建新	中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心	17	92	5.0	9.0
7	巫艳	中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心	4	35	3.0	4.0