大功率耦合腔行波管衰减器的封接工艺及封接机理的初步分析

• 作者: 董笑瑜
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 衰减器 非氧化物陶瓷 活性金属法 封接工艺 封接机理
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 陶瓷-金属封接技术进步和应用专辑
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TB756
• 字数: 2764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2004.04.003

摘要

介绍了非氧化物陶瓷(AlN+SiC)衰减器的封接工艺:用氢化钛和铜银粉在真空炉中进行活性金属化,抛光后在卧式烧氢炉中与可伐焊接,在立式烧氢炉中与铜腔片焊接;同时初步分析了封接机理:钛与熔化的Ag-Cu合金作用,生成活性物质Cu3Ti,然后Cu3Ti与陶瓷中的氧反应,在界面形成富钛的过渡层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董笑瑜		1	1	1.0	1.0