退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度的影响

• 作者: 周天明 孙慧卿 李述体 王浩 范广涵 郑树文 郭志友
• 来源期刊: 华南师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 AlGaInP MOCVD ECV 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: TN209
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5463.2004.01.013

摘要

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片. 相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响. 与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p 型GaP层的空穴浓度由5.6×1018 cm-3增大到6.5×1018 cm-3,p 型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017 cm-3增大到1.1×1018 cm-3. 这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	王浩	华南师范大学光电子材料与技术研究所	14	108	5.0	10.0
3	孙慧卿	华南师范大学光电子材料与技术研究所	25	272	9.0	16.0
4	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
5	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
6	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0