应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN

• 作者: 张国义 杨志坚 龙涛
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD 离子注入 Mg掺杂GaN
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 701-704
• 页数: 4页
• 分类号: O472.4
• 字数: 483字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2001.05.017

摘要

应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过800?℃,1?h的退火后,获得高空穴载流子浓度(8.28×1017?cm -3)的P-型GaN.首次报道了实验上通过Mg离子注入到Mg生长掺杂的GaN中并获得高的表面空穴载流子浓度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学物理学系	49	229	9.0	13.0
2	杨志坚	北京大学物理学系	11	156	4.0	11.0
3	龙涛	北京大学物理学系	3	4	1.0	2.0